شکل(1-2). ساختار یک آشکارساز SAM 7
شکل (1-3). ساختار آشکار ساز SAGM 8
شکل(1-4). ساختار آشکار ساز SACM 8
شکل (1-5). ساختار آشکار ساز SAGCM 9
شکل (1-6). ساختار آشکار ساز SACM-APD. 10
شکل (2-1) ساختار آشکار ساز PIN-APD 18
شکل(2-2).مدل مداری آشکارساز PIN 23
شکل (2-3) جریان نوری خروجی بر حسب بایاس معکوس برای توان نور ورودی مختلف. 25
شکل(2-4) بازده کوانتومی بر حسب ولتاژ ورودی 25
شکل (2-5) پاسخ ضربه بر حسب ولتاژ های بایاس مختلف 26
شکل (2-6) ساختار SAGCM-APD با تابش نور از بالا. 27
شکل(2-7). بلوک دیاگرام زیر سیستم ها. 30
شکل (2-8) بلوک های زیر مداری نمونه. 32
شکل(2-9).مدار معادل آشکارساز SAGCM-APD. 34
شکل (2-10) مشخصه گین پهنای باند InAlAs/InGaAs در مقایسه با نتایج تجربی 36
شکل(2-11) مشخصه گین پهنای باند با نواحی جذب مختلف. 37
شکل(2-12) مشخصه گین- پهنای باند InP/InGaAs در مقایسه با نتایج تجربی 37
شکل (2-13) ساختار یک SACM-APD 39
شکل(2-14). مدار معادل WG-SACM-APD 47
شکل (2-15) مقایسه این مدل و نتایج تجربی 48
شکل (2-16) تابع تبدیل آشکارساز 49
شکل(2-17). پاسخ WG-APD برای سطح مقطع و اندوکتانس سری مختلف 52

پایان نامه و مقاله

شکل (2-18) مشخصه گین پهنای باند WG-SACM-APD 54
شکل (2-19) پهنای باند بر حسب ضخامت های مختلف لایه تکثیر آشکارساز برای ضخامت های لایه جذب و
گین 10. 55
شکل (2-20)خصوصیات GBW برای آشکارساز WG-SACM-APD 57
شکل (2-21) ساختار RCE-SAGCM-APD 59
شکل (2-22) میدان الکتریکی برای آلاینده های مختلف در لایه شارژ در بایاس معکوس a) 10v b) 20v
63
شکل (2-23) a) مدل spice آشکارساز RCE-APD b) نمایش spice مدل 66
شکل (2-24) a) مقایسه بین مدل spice و نتایج تجربی b) تابع تبدیل آشکارساز 69
شکل (2-25) a) مقایسه بین مدل spice و نتایج تجربی b) تابع تبدیل آشکارساز 70
شکل (2-26) مشخصه گین پهنای باند برای ضخامت های مختلف لایه جذب و سطح مقطع 200μm2. 73
شکل (2-27) مشخصه گین پهنای باند برای مقادیر مختلف سطح مقطع آشکارساز برای xa=35nm و
xd=80nm 74
شکل (2-28)a و b) مشخصه گین پهنای باند برای سطوح مختلف آشکارساز یا اندوکتاس 0.2nH 75
شکل (2-28)c) مشخصه گین پهنای باند برای سطوح مختلف آشکارساز یا اندوکتاس 0.2nH 76
شکل (2-29)aو b) مشخصه گین پهنای باند برای سطوح مختلف آشکارساز با اندوکتانس 0.2nH 77
شکل (2-29)c) مشخصه گین پهنای باند برای سطوح مختلف آشکارساز با اندوکتانس 0.2nH 78
شکل(3-1).ساختار آشکارساز WG-SACM-APD 81
شکل (3-2) مدل مداری و اثرات پارازیتی WG-APD 86

یک مطلب دیگر :

شکل(3-3).بلوک دیاگرام زیر سیستم ها 89
شکل (3-4) بلوک های زیر مداری نمونه. 91
شکل (3-5) مدار معادل الکترون اولیه. 94
شکل (3-6) مدار معادل حفره های اولیه 95
شکل (3-7) مدار معادل الکترون ثانویه 95
شکل (3-8) مدار معادل حفره ثانویه 96
شکل(3-9) مدل مداری آشکارساز WG-SACM-APD 97
شکل(3-10).پاسخخ فرکانسی آشکارساز 100
شکل (3-11) پهنای باند آشکارساز 101
شکل (3-12) مشخصه گین-پهنای باند WG-SACM-APD برای Rl=50Ω  و Ls=0 برای xa از 50 تا 250nm 102
شکل(3-13) پهنای باند بر حسب ضخامت لایه تکثیر برای xa های مختلف و گین 10 و سطح 100μm2. 104
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
فصل اول
 
 
 
 
 
 

دسته‌ها: Uncategorized

0 دیدگاه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *