امکان ‌سنجی تولید جمعیت وارون در گرافن

 

 

به کوشش

 

احسان فارسی نیا

 

واژگان کلیدی: گرافن، الکترون، حفره، شبه سطح فرمی، رسانندگی

در این پایان نامه موضوع استفاده از گرافن تک لایه به عنوان ماده فعال لیزر مورد بررسی قرار گرفته است. رسانندگی الکتریکی معیاری است که رسیدن یا عدم رسیدن به تقویت نوری را بیان می­کند. اگر رسانندگی الکتریکی منفی باشد، نشان از تقویت نوری و رسیدن به شرایط جمعیت معکوس است. در راستای محاسبه رسانندگی و برای محاسبه پارامتر سطح فرمی، با استفاده از نتایج طیف نگاری ملاحظه می­شود که در گرافن شبه سطح فرمی بعد از دمش بوجود می­آید. نتایج بدست آمده در این پایان­نامه نشان می­دهد که سامانه­ای که در حالت تعادل دارای سطح فرمی 0.4 ev بوده است، بعد از برانگیختگی با انرژی دمش 1.55 ev، دارای دو شبه سطح فرمی حداکثر 1 ev برای الکترون­ها و بیش از -0.9 ev برای حفره­ها می­شود. دیگر پارامتری که در رسانندگی وجود دارد دمای حامل‌ها در هنگام برانگیختگی است. نتایج نشان می­دهد که این دما برای گرافن حدود 2000 K است که بمراتب از حالت تعادل غیر برانگیخته به میزان 300 K بیشتر است. با بررسی خصوصیات شبه سطح فرمی و دمای حامل­ها در حالت برانگیخته و استفاده از آن­ها، رسانندگی گرافن حساب شده و شرایط تقویت نوری آن بررسی گردیده است. نتایج نشان می­دهد که بروز تقویت نوری در گرافن فقط با دمش پر شدت امکان­پذیر است.

 

 متن کامل در سایت تخصصی پایان نامه های کارشناسی ارشد  :www.arshadha.ir

Leave a comment